加工定制是
外形尺寸定制
水質(zhì)超純水
生產(chǎn)技術(shù)貴州鑫灃源環(huán)保
尺寸定制
機架304
質(zhì)保1年免費,終身維護
管道CPVC/UPVC
材質(zhì)304/UPVC
組裝模塊化
產(chǎn)水電阻率:≥10----18.25MΩ..CM/25℃
安裝調(diào)試包含
組合模塊化
是否自動全自動
產(chǎn)水量0.25噸/小時至1000噸/小時
進水水質(zhì)市政自來水或者井水
出水水質(zhì)符合客戶要求的純水水質(zhì)
電導(dǎo)率范圍0.055μS/cm~10μS/cm
電阻率范圍1MΩ·cm~18.2MΩ·cm(常溫下20°C)
生產(chǎn)地貴州貴陽
軟化水設(shè)備,即降低水硬度的設(shè)備,主要除祛水中的鈣、鎂離子,通俗的說就是降低水的硬度的設(shè)備,起作用主要有去除水中的鈣鎂離子、活化水質(zhì),殺菌滅藻,防垢除垢。軟化水設(shè)備在軟化水的過程中,不能降低水中的總含鹽量。在熱水鍋爐系統(tǒng)、熱交換系統(tǒng)、工業(yè)冷卻系統(tǒng)、中央空調(diào)系統(tǒng)以及其他用水設(shè)備系統(tǒng)中都有廣泛的應(yīng)用。
軟化水處理的作用
1、軟化水設(shè)備的使用節(jié)約了大量浪費燃料
當(dāng)鍋爐結(jié)有水垢時,對于工作壓力為1.4MPa的鍋爐會結(jié)生1毫米的水垢,會浪費8%的燃料。
2、軟化水設(shè)備提高熱效率降低出力
當(dāng)鍋爐蒸發(fā)面結(jié)有水垢時,火側(cè)的熱量不能很快傳遞給水側(cè)就會降低鍋爐的出力。如果因為水處理不當(dāng),鍋爐結(jié)垢,使鍋爐蒸發(fā)能力降低了三分,因供氣不足自動作業(yè)線不能開車。
3、軟化水設(shè)備的使用降低鍋爐檢修量
鍋爐板或管道結(jié)有水垢以后,非常難以清除,特別是由于水垢引起鍋爐的泄漏,裂紋,折損,變形,腐蝕等病害。不僅損害了鍋爐,而且耗費大量人力,物力去檢修,不但縮短了運行的時間,也增加了檢修費用。
4、軟化水設(shè)備的應(yīng)用減少危及安全
鍋爐因水垢引起的事故,占鍋爐事故總數(shù)的20%以上,不但造成設(shè)備損失,也威脅著人身安全。而水處理的基建和運行費用,占各項節(jié)約費用的四分。

濕式反滲透膜元件基本上是由于生產(chǎn)廠商執(zhí)行的質(zhì)量體系為全量檢測,要求每支出廠的反滲透膜元件都要進行標(biāo)準(zhǔn)溶液檢測,只要通過標(biāo)準(zhǔn)測試的反滲透膜元件才能作為合格產(chǎn)品出貨。
而干式反滲透膜元件廠家執(zhí)行的是產(chǎn)品抽檢體系,每個批次的膜元件進行抽檢標(biāo)準(zhǔn)溶液測試,抽檢后的膜元件為濕式膜元件,未檢測的膜元件為干式膜元件。
使用反滲透膜片的區(qū)別:常規(guī)的芳香族聚酰胺反滲透復(fù)合膜片的制造工藝大同小異,即把聚酯無紡布作為結(jié)構(gòu)強度基層,在無紡布上預(yù)先涂敷一層高透水性微孔聚砜作為支撐層,然后通過界面重縮合法形成超薄膜的分離功能層,一般為濕膜。如需要干膜,還需將濕膜片進入干燥單元。因此,干膜片與濕膜片的區(qū)別在于干膜片是濕膜片經(jīng)烘干制成。
反滲透膜元件卷制過程的區(qū)別:濕式膜元件使用的膜片為濕膜片,干式膜元件使用的膜片為干膜片,兩者的卷制工藝流程沒有明顯差異。
濕式反滲透膜膜元件的優(yōu)點:
1、濕式反滲透膜膜元件一般每支膜元件出廠前都進行過膜元件的性能檢測,都能保證每支出廠膜元件的性能達到了標(biāo)準(zhǔn),杜絕了瑕疵膜元件產(chǎn)品的出廠。
2、濕式反滲透膜膜元件初始性能優(yōu)越,現(xiàn)場安裝后經(jīng)過簡單的沖洗即可達到膜元件的Z好性能,節(jié)省啟動時間和沖洗水源。
3、濕式膜元件的反滲透基本性能一般優(yōu)越于干式膜元件,即膜元件的脫鹽率和產(chǎn)水量稍具優(yōu)勢。
濕式反滲透膜膜元件的缺點:
1、濕式膜元件需要用保護液或者其他防護措施,膜元件需要始終保持濕潤狀態(tài)及保持膜元件不發(fā)生微生物污染。
2、由于膜元件是濕潤狀態(tài),冬季冰點以下的運輸Z好使用保溫車輛運輸或者到達目的地后需要在冰點以上的場所內(nèi)進行保存。
干式反滲透膜膜元件的優(yōu)點:
1、干式膜元件的制造技術(shù)和設(shè)備相對復(fù)雜一些,但干式膜元件不用保護液或者其他防護措施,重量輕,運輸費用相對較低,膜元件存放時間較長。
2、干式膜元件由于沒有濕潤,冬季冰點以下運輸不用車輛,運輸方便,同時對保存場所的條件要求也低。
干式反滲透膜膜元件的缺點:
1、膜元件出廠前采用抽檢,不能保證每支出廠的膜元件的性能都能達到標(biāo)準(zhǔn),出廠的膜元件有瑕疵的存在可能性。
2、膜元件裝入系統(tǒng)后初期性能偏低,需要長時間浸泡和沖洗,膜元件性能才能逐步達到Z佳狀態(tài),浪費時間和沖洗水源。
3、膜元件的反滲透基本性能,即產(chǎn)水量和脫鹽率相對濕式膜元件一般稍低。

水質(zhì):出水水質(zhì)>15MΩ.cm
用途:半導(dǎo)體、集成電路芯片及封裝、液晶顯示、高精度線路板、光電器件、各種電子器件、微電子工業(yè)、大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路需用大量的高純水、超純水清洗半成品、成品。集成電路的集成度越高,對水質(zhì)的要求也越高。目前我國電子工業(yè)部把電子級水質(zhì)技術(shù)分為五個行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),分別為18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm,以區(qū)分不同水質(zhì)。 超純水設(shè)備,超純水設(shè)備,硅片超純水設(shè)備
半導(dǎo)體(semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ族化合物:化鎵、磷化鎵等;Ⅱ-Ⅵ族化合物:硫化鎘、硫化鋅等;氧化物:錳、鉻、鐵、銅的氧化物,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體:鎵鋁、鎵磷等。除上述晶態(tài)半導(dǎo)體外,還有非晶態(tài)的玻璃半導(dǎo)體、有機半導(dǎo)體等。
光電材料生產(chǎn)、加工、清洗;液晶顯示屏、離子顯示屏、燈管顯像管、微電子工業(yè)、FPC/PCB線路板、電路板、大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路需用大量的高純水、超純水清洗半成品、成品。集成電路的集成度越高,對水質(zhì)的要求也越高,這也對超純水處理工藝及產(chǎn)品的簡易性、自動化程度、生產(chǎn)的連續(xù)性、可持續(xù)性等提出了更加嚴格的要求。
半導(dǎo)體超純水設(shè)備,超純水設(shè)備,超純水處理設(shè)備,我們公司生產(chǎn)反滲透+EDI超純水設(shè)備,有多年的生產(chǎn)經(jīng)驗,做過各行業(yè)的水處理設(shè)備,水處理方面我們有豐富的經(jīng)驗。
半導(dǎo)體超純水設(shè)備制備工藝:
1、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→粗混合床→精混合床→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→精密過濾器→用水點(≥18MΩ.CM)(傳統(tǒng)工藝)
2、預(yù)處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純化水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→0.2或0.5μm精密過濾器→用水點(≥18MΩ.CM)(工藝)
3、預(yù)處理→一級反滲透→加藥機(PH調(diào)節(jié))→中間水箱→第二級反滲透(正電荷反滲膜)→純水箱→純水泵→EDI裝置→紫外線殺菌器→0.2或0.5μm精密過濾器→用水點(≥17MΩ.CM)(工藝)
4、預(yù)處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→0.2或0.5μm精密過濾器→用水點(≥15MΩ.CM)(工藝)
5、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→純水泵→粗混合床→精混合床→紫外線殺菌器→精密過濾器→用水點 (≥15MΩ.CM)(傳統(tǒng)工藝)
水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn):
半導(dǎo)體超純水設(shè)備,超純水設(shè)備,超純水處理設(shè)備出水水質(zhì)符合美國ASTM純水水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)、我國電子工業(yè)電子級水質(zhì)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)(18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm)我國電子工業(yè)超純水水質(zhì)試行標(biāo)準(zhǔn)、半導(dǎo)體工業(yè)用純水指標(biāo)、集成電路水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)。
半導(dǎo)體超純水設(shè)備,超純水設(shè)備,超純水處理設(shè)備的應(yīng)用領(lǐng)域:
電解電容器生產(chǎn)鋁箔及工作件的清洗; 超純水設(shè)備,超純水設(shè)備,硅片超純水設(shè)備
電子管生產(chǎn)、顯像管和陰極射線管生產(chǎn)配料用純水;
黑白顯像管熒光屏生產(chǎn)、玻殼清洗、沉淀、濕潤、洗膜、管頸清洗用純水;
生產(chǎn)液晶顯示器的屏面需用純水清洗和用純水配液;
晶體管生產(chǎn)中純水主要用于清洗硅片;
集成電路生產(chǎn)中高純水清洗硅片;
半導(dǎo)體材料、器件、印刷電路板和集成電路用純水;
半導(dǎo)體材料、晶元材料生產(chǎn)、加工、清洗;
顯像管、螢光粉生產(chǎn);
汽車、家電表面拋光處理。

反滲透設(shè)備:
包括兩級RO裝置、清洗系統(tǒng)和中間水箱。
RO反滲透主要去除水中溶解鹽類、有機物、二氧化硅膠體、大分子物質(zhì)及預(yù)處理未去除的顆粒物等。采用兩級RO工藝可有效去除水中離子同時使出水滿足后續(xù)EDI裝置工藝進水要求。
反滲透系統(tǒng)由1臺5μ過濾器、2臺高壓泵和壓力容器及反滲透膜組成。級反滲透裝置RO按2∶1排列采用6支8寸膜串聯(lián)排列方式產(chǎn)水量為m3/h回收率75%第二級反滲透裝置RO按1∶1排列采用3支8寸膜串聯(lián)排列方式產(chǎn)水量為m3/h回收率85%。膜元件級選擇海德能公司低壓復(fù)合膜CPA3第二級選擇海德能公司壓復(fù)合膜ESPA2。(選用ESPA3膜)
為確保RO裝置的穩(wěn)定運行在RO前設(shè)置了UV消毒器和阻垢劑加藥系統(tǒng)。UV消毒器1臺處理量為17.6m3/h主要作用是殺死水中的避免RO膜受到污堵。紫外燈發(fā)射波長為254 nm強度為30000 μWs/cm2殺菌率為99%。
為防止RO裝置中濃水側(cè)結(jié)垢須在進水中投加阻垢劑阻垢劑采用FLOCON260設(shè)計投加量為2.4 mg/L?;虿捎肞TP0100阻垢劑設(shè)計投加量為1 mg/L。
為去除水中的CO2在兩級RO之間投加NaOH調(diào)節(jié)一級RO出水的pH值為7.83NaOH的設(shè)計投加量為4.5 mg/L。
RO清洗系統(tǒng)為撬裝設(shè)備包括清洗箱、5 μm過濾器和清洗泵。當(dāng)RO系統(tǒng)發(fā)生結(jié)垢或污堵時可對RO裝置進行清洗同時也可清洗EDI。
中間水箱的功能為儲存RO產(chǎn)水、調(diào)節(jié)水量使系統(tǒng)運行可以靈活調(diào)節(jié)。
兩級RO系統(tǒng)產(chǎn)水的電導(dǎo)率<10 μs/cmSiO2含量<500 μg/LTOC<50 μg/L。[1]
折疊工藝流程
原水加壓泵多介質(zhì)過濾器活性炭過濾器軟水器保安過濾器級反滲透機第二級反滲透機儲水罐純水輸送泵用水點
折疊反滲透裝置的應(yīng)用范圍
1.純凈水、蒸餾水、食品和配置飲料用水的凈化。
2.電子、、食品等工業(yè)中純水超純水的制備。
3.輕紡、化工、食品等工業(yè)用于分離、濃縮、液體脫色為目的工藝工程。[1]
4.海水、苦咸水的淡化。
反滲透特點
1.透水量大脫鹽率高。正常情況下≥98%
2.對有機物膠體、微粒、、、熱源等有很高的截留去除作用。
3.能耗小水利用率高運行費用低于其它脫鹽設(shè)備。
4.分離過程沒有相變具有可靠穩(wěn)定性。
5.設(shè)備體積小操作簡單、容易維護適應(yīng)性強使用壽命長
反滲透設(shè)備安裝條件
1.裝置運到現(xiàn)場后應(yīng)放置于室內(nèi)周圍環(huán)境溫度不得低于5℃不得高于38℃。當(dāng)溫度高于35℃時應(yīng)加強通風(fēng)措施。
2.裝置到達后應(yīng)在一個月內(nèi)安裝完畢并應(yīng)立即進行通水試車運行。
3.裝置在未進行通水試車之前任何閥門均不得開啟以免保護溶液流出致使元件損壞。
4.裝置就位后應(yīng)調(diào)整裝置支承點使組件處于基本水平的位置且與基礎(chǔ)接觸可靠。
5.裝置與供水泵相接的管路及閥門在連接之前應(yīng)進行脫脂處理供水泵過流部份也應(yīng)進行脫脂處理。
6.裝置的產(chǎn)水輸出管輸出高度應(yīng)小于8米。
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