1、設(shè)計原因：
A、反滲透設(shè)計為三段運(yùn)行，回收率為85%，這種運(yùn)行方式使進(jìn)入三段的水質(zhì)含鹽量就已經(jīng)很大，所以三段濃水水質(zhì)就更差了，所以三段運(yùn)行的反滲透后一段膜元件結(jié)垢傾向是比較大的。目前國內(nèi)大多數(shù)反滲透設(shè)計為二段運(yùn)行，回收率75%。
B、反滲透設(shè)計設(shè)備停運(yùn)后沖洗為反滲透進(jìn)水進(jìn)行低壓沖洗，這種運(yùn)行方式?jīng)_洗時壓力為0.3~0.4MPa，在這種壓力下反滲透仍然有淡水產(chǎn)生所以濃水側(cè)的水還是被濃縮了含鹽量仍然很大，這就容易使停運(yùn)的反滲透濃水側(cè)出現(xiàn)結(jié)垢現(xiàn)象?，F(xiàn)在大多數(shù)的反滲透停運(yùn)后沖洗設(shè)計為反滲透的產(chǎn)水或采用除鹽水進(jìn)行沖洗，這種沖洗方式能夠很好的把反滲透濃水置換出來，從而保證了反滲透停運(yùn)后濃水側(cè)的含鹽量很低，能夠有效地防止反滲透停運(yùn)中出現(xiàn)濃水側(cè)結(jié)垢現(xiàn)象的發(fā)生。
C、加藥沒有完全混合均勻，從而導(dǎo)致加藥不勻，也容易引起反滲透膜結(jié)垢。
2、設(shè)備原因：
A、經(jīng)檢查發(fā)現(xiàn)阻垢劑計量泵不出藥且3臺阻垢劑計量泵均出現(xiàn)故障后進(jìn)行更換過，這就容易造成阻垢劑計量泵不出藥或故障時沒有及時發(fā)現(xiàn)而使運(yùn)行中的反滲透出現(xiàn)短時的不加藥現(xiàn)象。
B、反滲透加阻垢劑裝置漏藥較嚴(yán)重，可能影響反滲透加阻垢劑的加藥量。
3、操作原因：
A、停機(jī)時快速降壓沒有進(jìn)行徹底沖洗。由于膜濃水側(cè)的無機(jī)鹽的濃度高于原水,易結(jié)垢而污染膜。
B、用投加化學(xué)試劑的預(yù)處理水沖洗。因含化學(xué)試劑的水在設(shè)備停運(yùn)期間可能引起膜污染。因此，在準(zhǔn)備停機(jī)時,應(yīng)停止投加化學(xué)試劑,逐步降壓至3bar左右用預(yù)處理好的水沖洗10min,直至濃縮水的TDS (總?cè)芙夤腆w)與原水的TDS很接近為止。
二、如何防止反滲透膜結(jié)垢？
A、做好原水的預(yù)處理工作，特別應(yīng)注意污染指數(shù)的合格，同時還應(yīng)進(jìn)行殺菌，防止微生物在器內(nèi)滋生，注意氯離子對膜的傷害。
B、在反滲透設(shè)備運(yùn)行中，要維持合適的操作壓力，一般情況下，增加壓力會使產(chǎn)水量，但過大又會使膜壓實(shí)。
C、在反滲透設(shè)備運(yùn)行中，應(yīng)保持鹽水側(cè)的紊流狀態(tài)，減輕膜表面溶液的濃差極化，避免某些難溶鹽在膜表面析出。
D、在反滲透設(shè)備停運(yùn)時，短期應(yīng)進(jìn)行加藥沖洗，長期應(yīng)加保護(hù)。
E、當(dāng)反滲透設(shè)備產(chǎn)水量明顯減少，表明膜結(jié)垢或污染，應(yīng)進(jìn)行化學(xué)清洗。
F、定期作好原水水質(zhì)分析，根據(jù)水質(zhì)情況，依據(jù)技術(shù)支持部提供的加案調(diào)節(jié)阻垢劑的加藥量。
G、當(dāng)反滲透系統(tǒng)出現(xiàn)異常時，馬上停機(jī)進(jìn)行處理，避免事故的擴(kuò)大。
H、嚴(yán)防加藥設(shè)備的跑、冒、滴、漏，將藥液加到反滲透進(jìn)水里，真正起到防止結(jié)垢的目的。
I、建議將反滲透設(shè)備停運(yùn)后的沖洗方式改為用除鹽水進(jìn)行沖洗。

水質(zhì)：出水水質(zhì)>15MΩ.cm
用途:半導(dǎo)體、集成電路芯片及封裝、液晶顯示、高精度線路板、光電器件、各種電子器件、微電子工業(yè)、大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路需用大量的高純水、超純水清洗半成品、成品。集成電路的集成度越高，對水質(zhì)的要求也越高。目前我國電子工業(yè)部把電子級水質(zhì)技術(shù)分為五個行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，分別為18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm，以區(qū)分不同水質(zhì)。  超純水設(shè)備,超純水設(shè)備,硅片超純水設(shè)備
    半導(dǎo)體（semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ族化合物：化鎵、磷化鎵等；Ⅱ-Ⅵ族化合物：硫化鎘、硫化鋅等；氧化物：錳、鉻、鐵、銅的氧化物，以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體：鎵鋁、鎵磷等。除上述晶態(tài)半導(dǎo)體外，還有非晶態(tài)的玻璃半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體等。
光電材料生產(chǎn)、加工、清洗；液晶顯示屏、離子顯示屏、燈管顯像管、微電子工業(yè)、FPC/PCB線路板、電路板、大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路需用大量的高純水、超純水清洗半成品、成品。集成電路的集成度越高，對水質(zhì)的要求也越高，這也對超純水處理工藝及產(chǎn)品的簡易性、自動化程度、生產(chǎn)的連續(xù)性、可持續(xù)性等提出了更加嚴(yán)格的要求。
半導(dǎo)體超純水設(shè)備，超純水設(shè)備，超純水處理設(shè)備，我們公司生產(chǎn)反滲透＋EDI超純水設(shè)備，有多年的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，做過各行業(yè)的水處理設(shè)備，水處理方面我們有豐富的經(jīng)驗(yàn)。
半導(dǎo)體超純水設(shè)備制備工藝：
1、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→粗混合床→精混合床→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→精密過濾器→用水點(diǎn)（≥18MΩ.CM）(傳統(tǒng)工藝) 
  　 2、預(yù)處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純化水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→0.2或0.5μm精密過濾器→用水點(diǎn)（≥18MΩ.CM）(工藝) 
　　3、預(yù)處理→一級反滲透→加藥機(jī)（PH調(diào)節(jié)）→中間水箱→第二級反滲透（正電荷反滲膜）→純水箱→純水泵→EDI裝置→紫外線殺菌器→0.2或0.5μm精密過濾器→用水點(diǎn)（≥17MΩ.CM）(工藝) 
　　4、預(yù)處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→0.2或0.5μm精密過濾器→用水點(diǎn)（≥15MΩ.CM）(工藝) 
　　5、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→純水泵→粗混合床→精混合床→紫外線殺菌器→精密過濾器→用水點(diǎn) （≥15MΩ.CM）(傳統(tǒng)工藝)
水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)：
半導(dǎo)體超純水設(shè)備，超純水設(shè)備，超純水處理設(shè)備出水水質(zhì)符合美國ASTM純水水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)、我國電子工業(yè)電子級水質(zhì)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)（18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm）我國電子工業(yè)超純水水質(zhì)試行標(biāo)準(zhǔn)、半導(dǎo)體工業(yè)用純水指標(biāo)、集成電路水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)。
半導(dǎo)體超純水設(shè)備，超純水設(shè)備，超純水處理設(shè)備的應(yīng)用領(lǐng)域：
電解電容器生產(chǎn)鋁箔及工作件的清洗；　 超純水設(shè)備,超純水設(shè)備,硅片超純水設(shè)備
電子管生產(chǎn)、顯像管和陰極射線管生產(chǎn)配料用純水；
黑白顯像管熒光屏生產(chǎn)、玻殼清洗、沉淀、濕潤、洗膜、管頸清洗用純水；
生產(chǎn)液晶顯示器的屏面需用純水清洗和用純水配液；
晶體管生產(chǎn)中純水主要用于清洗硅片；
集成電路生產(chǎn)中高純水清洗硅片；
半導(dǎo)體材料、器件、印刷電路板和集成電路用純水；
半導(dǎo)體材料、晶元材料生產(chǎn)、加工、清洗；
顯像管、螢光粉生產(chǎn)；
汽車、家電表面拋光處理。

【反滲透（RO）系統(tǒng)簡介】
反滲透技術(shù)是目前較為和有效的除鹽技術(shù)。反滲透是采用膜法分離的水處理技術(shù)，其原理是在壓力作用下，透過反滲透膜的水成為純水；水中的雜質(zhì)被反滲透膜截留并被帶出。
利用反滲透技術(shù)可有有效的去除水中的溶解鹽、膠體、、、內(nèi)和大部分有機(jī)物等雜質(zhì)。反滲透系統(tǒng)除鹽率一般為95～99%。
【反滲透（RO）系統(tǒng)技術(shù)優(yōu)勢】
（1）在室溫條件下，采用無相變的物理方法得以使水淡化、純化；
（2）水的處理僅依靠水的壓力作為推動力，其能耗是眾多水處理方法中的；
（3）無需使用大量的化學(xué)藥劑和酸堿再生處理；
（4）無化學(xué)廢液及酸堿廢液排放，無廢酸堿的中和處理過程，無環(huán)境污染；
（5）操作方便，產(chǎn)品水水質(zhì)穩(wěn)定。
【反滲透（RO）系統(tǒng)的應(yīng)用】
反滲透系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛；
（1）電力工業(yè)：鍋爐補(bǔ)給水；
（2）電子工業(yè)：半導(dǎo)體工業(yè)超純水；
（3）食品行業(yè)：生產(chǎn)用水；
（4）化學(xué)工業(yè)：生產(chǎn)用水、廢水處理；
（5）飲水工程：超純水制備、飲用水凈化；
（6）石油化工：油田注入水、石化廢水深度處理；
（7）海水淡化：海島地區(qū)、沿海缺水地區(qū)、船舶、海水油田等生活用水；
（8）環(huán)保領(lǐng)域：電鍍漂洗水中貴金屬、水的回收、實(shí)現(xiàn)零排放或微排放。

詳情介紹：
一、設(shè)備概述：
超純水處理設(shè)備
超純水應(yīng)用領(lǐng)域：在制藥和某些行業(yè)常需要純凈的蒸餾水，但傳統(tǒng)蒸餾法制取蒸餾水存在能耗高、不穩(wěn)定、不環(huán)保的缺陷，漸漸退出歷史的舞臺。取而代之的環(huán)保的CEDI技術(shù)。
水處理混床系統(tǒng)
一般處理工藝：反滲透+EDI+混床工藝替代傳統(tǒng)純蒸餾方法已經(jīng)成為當(dāng)今世界用水生產(chǎn)技術(shù)的主流。近年來代表制藥用水制備工藝技術(shù)水平的連續(xù)電去離子技術(shù)(Continuous Electrodeionization CEDI)的出現(xiàn)，促使用水制備工藝摒棄伴生廢酸、廢堿污染的傳統(tǒng)離子交換技術(shù)，令系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)全自動計算機(jī)控制，連續(xù)生產(chǎn)，安全無污染。
反滲透純凈水設(shè)備--低成本、高質(zhì)量。
二、EDI簡介：
EDI即連續(xù)除鹽技術(shù)（EDI，Electro deionization或CDI，Continuous Electrode ionization），是利用混和離子交換樹脂吸附給水中的陰陽離子，同時這些被吸附的離子又在直流電壓的作用下，分別透過陰陽離子交換膜而被去除的過程。這一過程中離子交換樹脂是被電連續(xù)再生的，因此不需要使用酸和堿對之再生。這一新技術(shù)可以代替?zhèn)鹘y(tǒng)的離子交換裝置，生產(chǎn)出電阻率達(dá)17 MΩ·cm的超純水。
三、工作原理：
在一對陰陽離子交換膜之間充填混合離子交換樹脂就形成了一個EDI單元。將一定數(shù)量的EDI單元羅列在一起，使陰離子交換膜和陽離子交換膜交替排列，并使用網(wǎng)狀物將每個EDI單元隔開，形成濃水室。在給定的直流電壓的推動下，在淡水室中，離子交換樹脂中的陰陽離子分別在電場作用下向正負(fù)極遷移，并透過陰陽離子交換膜進(jìn)入濃水室，同時給水中的離子被離子交換樹脂吸附而占據(jù)由于離子電遷移而留下的空位。通過這樣的過程，給水中的離子穿過離子交換膜進(jìn)入到濃水室被去除而成為除根水。帶負(fù)電荷的陰離子（例如OH-、Cl-）被正極（+）吸引而通過陰離子交換膜，進(jìn)入到鄰近的濃水室中。此后這些離子在繼續(xù)向正極遷移中遇到鄰近的陽離子交換膜，而陽離子交換不允許其通過，這些離子即被阻隔在濃水中。淡水流中的陽離子（例如Na+ 、H+）以類式的方式被阻隔在濃水中。在濃水中，透過陰陽膜的離子維持電中性。
四、應(yīng)用領(lǐng)域：
超純水經(jīng)常用于微電子工業(yè)、半導(dǎo)體工業(yè)、發(fā)電工業(yè)、制藥行業(yè)等。EDI純水也可以作為制藥蒸餾水、發(fā)電廠的鍋爐補(bǔ)給水，以及其它應(yīng)用超純水。
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